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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
94
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
38
读取速度,GB/s
1,882.0
14.2
写入速度,GB/s
1,165.4
10.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2148
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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