RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
72
94
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
72
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
1593
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link