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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
38
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
38
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.9
12.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2477
2283
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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