RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
3075
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-004.A00LF 2GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link