RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de 52% menor latência
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
54
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
2938
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link