RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
76
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
76
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
1260
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link