RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
77
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
6.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
77
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2556
1549
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link