RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3151
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link