RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 27
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3151

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
メモリRAM