RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2324
3273
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link