RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2324
3273
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link