RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
49
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
49
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2771
2413
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link