RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
49
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
49
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
10.9
Скорость записи, Гб/сек
10.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2771
2413
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link