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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparar
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3019
2909
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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