RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
52
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
40
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
14.0
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2965
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link