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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
52
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
25.2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.5
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
25
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
25.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
19.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
4167
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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