RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
52
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
47
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
8.4
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2362
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link