RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
14.7
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
3660
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link