RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
60
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
4200
Por volta de 6.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
60
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
12.0
Largura de banda de memória, mbps
4200
25600
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2511
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link