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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
8.6
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2361
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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