RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
66
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3273
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link