RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3273
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link