RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
66
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
14.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3509
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link