Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Pontuação geral
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Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    45 left arrow 69
    Por volta de -53% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    6.9 left arrow 6.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    6.3 left arrow 4.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 14900
    Por volta de 1.14 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 45
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6.1 left arrow 6.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    4.1 left arrow 6.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1116 left arrow 1499
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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