RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston HX318C10FK/4 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
69
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.9
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
4.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
45
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
6.9
Скорость записи, Гб/сек
4.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1116
1499
Kingston HX318C10FK/4 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link