RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
69
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.9
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
45
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
1499
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link