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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Confronto
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
69
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6.9
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
4.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
45
Velocità di lettura, GB/s
6.1
6.9
Velocità di scrittura, GB/s
4.1
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1116
1499
Kingston HX318C10FK/4 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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