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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
18.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2987
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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