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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
比較する
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
33
周辺 15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
16.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
11.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
33
読み出し速度、GB/s
18.2
16.1
書き込み速度、GB/秒
11.5
13.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
2987
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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