RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2987
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link