RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
2987
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/2GX 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link