RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
69
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6.9
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
45
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
6.9
Vitesse d'écriture, GB/s
4.1
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1116
1499
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link