RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3317
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link