RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
12.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
3317
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link