RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
66
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
16.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3779
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link