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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
66
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
52
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
10.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2472
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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