RAM-Vergleich A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Gesamtnote

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

52 66

Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 1,557.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 6400

Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

382 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns