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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Pontuação geral
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Pontuação geral
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

A-DATA Technology DQVE1908 512MB Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 11.6
    Valor médio nos testes
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Razões a considerar
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    43 left arrow 66
    Por volta de -53% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.2 left arrow 1,557.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 6400
    Por volta de 4 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    66 left arrow 43
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,775.5 left arrow 11.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,557.9 left arrow 11.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    382 left arrow 2615

A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM

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Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparações de RAM

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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