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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
11.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2806
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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