RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2806
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link