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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
46
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2852
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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