RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2852
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link