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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3384
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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