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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
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Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
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