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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
12.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3158
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
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