RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
15.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3614
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link