RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
99
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
99
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
6.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
1386
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X2G1600C8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link