RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
99
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
99
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1386
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link