RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
1989
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link