RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1989
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link